Produção de 1c DRAM da SK Hynix para HBM4 tem salto no rendimento para 80% [RUMOR]

A SK Hynix teria alcançado um rendimento invejável na sua capacidade de produção de componentes 1c DRAM, segundo informações da mídia sul-coreana. O site Hankooki relata que a gigante das memórias agora consegue produzir a tecnologia com rendimento de 80% a 90%, o que pode ajudar a companhia a sair na frente na corrida pelo HBM4.

Além de ser um número bastante expressivo para o rendimento na fabricação de qualquer chip, é um salto considerável em relação ao que se reportava sobre a empresa até o ano passado – algo em torno de 60%.

Componentes 1c DRAM podem ser usados em diferentes produtos de memória, mas atualmente o maior foco das gigantes da área está no HBM4. A nova geração da memória de banda larga tem sido a grande aposta da indústria para aproveitar o hype da IA, que se beneficia muito de mais velocidade na memória de seus aceleradores.

Dessa forma, a SK Hynix deve reservar seus avanços em 1c DRAM para primeiro garantir a produção em massa de seus primeiros chips HBM4, ou quem sabe ainda para os HBM4E. No entanto, se o rendimento se provar realmente tão positivo, não deve demorar tanto para vermos os primeiros módulos DDR5 aproveitando 1c DRAM também.

SK Hynix aposta em IA para continuar seu sucesso em HBM4

Garantir primeiro a disponibilidade de uma nova tecnologia é sempre vantajoso para qualquer empresa que trabalha com as tecnologias mais atuais possíveis. Para o caso de HBM4 isso é especialmente importante devido à demanda de fabricantes de aceleradores para IA, como a NVIDIA.

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A SK Hynix tem chances de ficar bem na frente da concorrência se os rumores sobre seu rendimento com 1c DRAM estiverem corretos. Enquanto se fala da empresa alcançando mais de 80%, a sua principal concorrente Samsung estaria com problemas em sua tecnologia. Uma reportagem de fevereiro pelo WCCFTech menciona que a empresa precisou reformular seus chips 1c DRAM para conseguir rendimentos melhores.

Via: WCCFTech