SK Hynix revela primeira memória NAND UFS 4.1 de 321 camadas

A SK Hynix é a primeira empresa a apresentar uma solução TLC NAND UFS 4.1 de 321 camadas para drives de armazenamento e dispositivos móveis. A companhia promete apenas vantagens para seus novos chips: mais desempenho e eficiência energética, enquanto resultam em componentes menos espessos – mesmo tendo um número maior de camadas.

A nova geração representa um salto em relação ao UFS 3.1, apresentado primeiro em 2022 com 238 camadas. Segundo a SK Hynix, a UFS 4.1 oferece até 15% mais velocidade de leitura randômica, com a gravação randômica melhorando em até 40%. Na parte de leitura sequencial, a nova tecnologia alcança o máximo permitido pela interface, com 4,3GB/s.

E os ganhos em desempenho vêm acompanhados de uma eficiência energética até 7% melhor. Além disso, a fabricante diz que o empacotamento das NAND fica em apenas 0,85mm de espessura, uma redução em relação ao 1mm da geração passada. Esses aspectos são especialmente vantajosos em dispositivos móveis.

Como não poderia deixar de ser, a SK Hynix ressalta o uso de sua nova NAND para IA em celulares e tablets. “Estamos no caminho para expandir nossa posição como uma provedora de memória full-stack para IA no segmento NAND ao construir um portfólio de produtos com a vantagem tecnológica para IA”, declarou Ahn Hyun, um dos líderes da empresa.

Produtos com UFS 4.1 da SK Hynix chegam em 2026 com 512GB e 1TB

A SK Hynix afirma que está fechando contratos com seus clientes para a nova tecnologia de NAND ao longo deste ano, então devemos esperar produção em massa dos primeiros produtos com UFS 4.1 no Q1 de 2026.

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A empresa vai entregar componentes de 512GB e 1TB, então provavelmente não veremos celulares de segmentos avançados com 256GB no ano que vem. Além disso, eventualmente devem aparecer ainda SSDs e até drives de uso profissional com NAND UFS 4.1 de 321 camadas.

Via: GSMArena