Samsung adotará Ligação Híbrida para memória HBM4

A Samsung confirmou que adotará a tecnologia de Ligação Híbrida (Hybrid Bonding) em sua memória HBM4, visando melhorar a dissipação térmica e permitir uma interface de memória ultralarga. O anúncio foi feito durante o AI Semiconductor Forum realizado em Seul, Coreia do Sul.

A tecnologia HBM (High-Bandwidth Memory) empilha diversos chips de memória sobre um die base, tradicionalmente conectados via microbumps e interligados por TSVs (Through-Silicon Vias). Contudo, à medida que a HBM evolui, os microbumps tornam-se ineficientes, limitando o desempenho e a eficiência energética.

Já a tecnologia de Ligação Híbrida conecta diretamente os chips de memória, eliminando os microbumps ao unir superfícies de cobre e óxido. Deste modo, são possíveis interconexões com menos de 10 µm de espaçamento. O resultado é menor resistência e capacitância com maior densidade de conexões e melhor dissipação térmica.

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Situação da SK hynix

A concorrente SK hynix deve atrasar a adoção da tecnologia de Ligação Híbrida por questões de custo e eficiência fabril. Alternativamente, a empresa planeja o desenvolvimento de um MR-MUF avançado como alternativa e usar a tecnologia de Ligação Híbrida como backup, caso seja necessário.

Ou seja, a SK Hynix planeja a produção de 16-Hi HBM4, respeitando as normas JEDEC, sem depender de Ligação Híbrida.

O principal motivo é que equipamentos para implementação da tecnologia são significativamente mais caros e ocupam mais espaço de fábrica, reduzindo a viabilidade financeira da SK Hynix instalar o processo.

Vantagens para a Samsung

A Samsung está em vantagem porque ela conta com sua própria fabricante de equipamentos de produção, a Semes, reduzindo os custos fabris. Caso a empresa consiga qualificar a HBM4 com Ligação Híbrida, pode conquistar uma significativa vantagem competitiva.

Com a implementação da tecnologia nas memórias HBM4, a empresa deve aumentar o desempenho, a eficiência térmica e a densidade de sinal. E, se a estratégia for bem-sucedida, a Samsung poderá recuperar participação de mercado frente à Micron e SK hynix, com produção em massa prevista para 2026.

Ainda em abril, a Samsung foi superada pela primeira vez no mercado de DRAM depois de 33 anos pela SK Hynix que conquistou 36% do mercado de DRAM contra 34% da Samsung. A Micron conta com 25%, de modo que ainda está atrás da Samsung. Porém, a empresa tem interesse de voltar ao topo da lista.

Não só, no final de abril a Google teria desistido das memórias HBM3E da Samsung e favorecido as memórias da Micron. Se no curto prazo os impactos podem ser pequenos, a longo prazo podem prejudicar a empresa e a Samsung já estaria de olho em ganhar da Micron o fornecimento para a Google.

Fonte: Tom’s Hardware.

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